-
1 рост граней (кристалла)
рост граней (кристалла)
—
[Англо-русский геммологический словарь. Красноярск, КрасБерри. 2007.]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > рост граней (кристалла)
-
2 волнистость поверхности граней кристалла
Универсальный русско-немецкий словарь > волнистость поверхности граней кристалла
-
3 индексы граней кристалла
Dictionnaire technique russo-italien > индексы граней кристалла
-
4 правило вывода возможных граней
ngeol. Komplikationsregel, Komplikationsregel (кристалла)Универсальный русско-немецкий словарь > правило вывода возможных граней
-
5 расстояние от воображаемой центральной точки кристалла до однозначных граней
ngeol. ZentraldistanzУниверсальный русско-немецкий словарь > расстояние от воображаемой центральной точки кристалла до однозначных граней
-
6 расстояния от воображаемой центральной точки кристалла до однозначных граней
ncrystall. ZentraldistanzУниверсальный русско-немецкий словарь > расстояния от воображаемой центральной точки кристалла до однозначных граней
-
7 индекс
индекс м. Ablesemarke f; Index m; Kennzahl f; Kennzeichnungszahl f; Klassifikationsmerkmal n; Klassifikationszeichen n; Marke f; Meßmarke f; Nullstrich m; Quotient m; Register n; Zeiger m -
8 индексы
-
9 скалывание
с.spallation; ( метод получения граней кристалла) cleavage, cleaving -
10 спайность
ж.( граней кристалла) cleavage -
11 трансляционная группа
ua\ \ трансляційна групаen\ \ translation groupde\ \ Translationsgruppefr\ \ \ groupe de translationаналог пространственной кристаллической решетки, используемый при описании двухмерной симметрии граней кристалла -
12 работа выхода
Работа выходаМинимальная энергия (обычно измеряемая в электрон-вольтах), которую необходимо затратить для удаления электрона из объема твёрдого тела. Электрон удаляется из твердого тела через данную поверхность и перемещается в точку, которая расположена достаточно далеко от поверхности по атомным масштабам (чтобы электрон прошел весь двойной слой), но достаточно близко по сравнению с размерами макроскопических граней кристалла. При этом пренебрегают дополнительной работой, которую необходимо затратить на преодоление внешних полей, возникающих из-за перераспределения поверхностных зарядов. Таким образом, работа выхода для одного и того же вещества для различных кристаллографических ориентаций поверхности оказывается различной.Russian-English dictionary of Nanotechnology > работа выхода
-
13 work function
Работа выходаМинимальная энергия (обычно измеряемая в электрон-вольтах), которую необходимо затратить для удаления электрона из объема твёрдого тела. Электрон удаляется из твердого тела через данную поверхность и перемещается в точку, которая расположена достаточно далеко от поверхности по атомным масштабам (чтобы электрон прошел весь двойной слой), но достаточно близко по сравнению с размерами макроскопических граней кристалла. При этом пренебрегают дополнительной работой, которую необходимо затратить на преодоление внешних полей, возникающих из-за перераспределения поверхностных зарядов. Таким образом, работа выхода для одного и того же вещества для различных кристаллографических ориентаций поверхности оказывается различной.Russian-English dictionary of Nanotechnology > work function
-
14 грань
1. ж. face, sire2. ж. facetрабочая грань; действующий забой — active face
на волосок от, на грани, чуть не — within an ace of
Синонимический ряд:1. границ (сущ.) границ; мер; пределов2. рубежей (сущ.) водоразделов; рубежей; черт -
15 грань
1. facet; side2. edge3. side -
16 притупление
n1) gener. Abstumpfen (грани кристалла), Abstumpfung (грани кристалла), Abstumpfung (чувства), Dumpfheit (о чувстве), Dämpfung (áîëè), Abstumpfung (чувства, восприятия), Dämpfung2) geol. Stumpfmachen (напр. граней кристаллов)4) artil. Abflachung (головной части снаряда)5) psych. Abgestumpftheit, Abstumpfung (чувства вследствие адаптации, пресыщения)6) textile. Abstumpfung (цвета)7) oil. Abstumpfung (зубьев долота)8) food.ind. Abschleifen (напр. рифлей вальца)9) watchm. Abnutzung10) shipb. Stegflanke (свариваемых кромок) -
17 рост
рострост, росту- рост контактной зоны взаимодействия
- рост кристалла
- рост объёмный
- рост окисных оболочек
- рост поверхностных граней
- рост порядка групп
- рост энергииРусско-белорусский словарь математических, физических и технических терминов > рост
-
18 боковая грань
Русско-английский новый политехнический словарь > боковая грань
См. также в других словарях:
рост граней (кристалла) — — [Англо русский геммологический словарь. Красноярск, КрасБерри. 2007.] Тематики геммология и ювелирное производство EN edge growth … Справочник технического переводчика
ПРОСТАЯ ФОРМА КРИСТАЛЛА — совокупность симметрично эквивалентных плоскостей (граней многогранника), к рые можно получить из одной с помощью операций симметрии, свойственных точечной группе симметрии кристалла. П. ф. к. могут иметь только 1, 2, 3, 4, 6, 8, 12, 16, 24 и 48… … Физическая энциклопедия
КЛАССИФИКАЦИЯ ГРАНЕЙ И ЗОН КРИСТАЛЛА , — Hartman, Perdok, 1956, выделяется 3 типа граней в зависимости от расположения их относительно РВС векторов (периодические соединительно цепочечные вектора, соответствующие наибольшим силам связей в структуре): а) гладкие (плоские) грани (flat fa … Геологическая энциклопедия
ГРАНИ (РЕБРА) КРИСТАЛЛА ВОЗМОЖНЫЕ — отсутствующие на одних к лах определенного вещества, но проявляющиеся на др. к лах того же самого вещества. Возможность тех или иных граней и ребер определяется как следствие из закона Вейса. Геологический словарь: в 2 х томах. М.: Недра. Под… … Геологическая энциклопедия
Вульф, Георгий (Юрий) Викторович — профессор минералогии и кристаллографии в Варшавском университете; род. в 1863 г.; образование получил в Варшавском университете на естественном отделении физико математического факультета, которое окончил в 1885 г. После окончания Университета,… … Большая биографическая энциклопедия
Двойное лучепреломление — Прозрачный кристалл минерала, называемого исландским шпатом (известковый шпат, кальцит), будучи положен на рисунок или чертеж, показывает их линии раздвоенными. Покрывая одну грань такого кристалла непрозрачной пластинкой, в которой сделан… … Энциклопедический словарь Ф.А. Брокгауза и И.А. Ефрона
Гаюи закон — Аюи закон целых чисел, закон рациональности параметров, один из основных законов кристаллографии (См. Кристаллография), а также один из первых количественных законов атомно молекулярной структуры твёрдых тел (См. Твёрдое тело). Установлен … Большая советская энциклопедия
ДРАГОЦЕННЫЕ КАМНИ — природные минералы и их искусственные аналоги, используемые для изготовления украшений и художественных изделий. Эти камни характеризуются красивой окраской, высокой твердостью и долговечностью, ярким блеском и игрой. Фактическая цена камня… … Энциклопедия Кольера
Гаюи закон — эмпирический закон огранения кристаллов, установленный Р. Ж. Гаюи в 1784. Если в качестве 3 координатных осей выбрать некоторые рёбра кристалла, то взаимные наклоны граней кристалла таковы, что отрезки, отсекаемые ими на осях координат, относятся … Энциклопедический словарь
Разделение пластин на кристаллы (технологическая операция) — Полупроводниковая пластина Один из технологических процессов в электронной промышленности, процесс разделения полупроводниковых пластин на отдельные кристаллы включает в себя: скрайбирование (надрезание) и последующие разламывание либо сквозное… … Википедия
Полупроводниковый лазер — полупроводниковый квантовый генератор, Лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества. В П. л., в отличие от лазеров др. типов, используются излучательные Квантовые переходы не между изолированными уровнями энергии… … Большая советская энциклопедия